單晶和多晶的少數載流子壽命測試設備

簡單描述：產品性能
先進材料的研究和開發
靈敏度: 對外延層監控和不可見缺陷檢測，
具有可視化測試的高分辨率
測試速度: < 5 minutes，6英寸矽片, 1mm分辨率
壽命測試範圍: 20ns到幾ms
玷汙測試: 產生於坩堝和生產設備中的金屬沾汙（Fe）
測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
靈活性: 允許外部激發光與測試模塊進行耦合
可靠性: 模塊化緊湊型台式檢測設備，使用時間 > 99
更新時間：2021-04-14
產品型號：MDPmap

詳細介紹

MDPmap設計用於離線生產控製或研發、測量少子壽命、光電導率、電阻率和缺陷信息等參數的小型台式無觸點電特性測量儀器，在穩態或短脈衝激勵下(μ-PCD)下工作。自動的樣品識別和參數設置允許在從原始生長晶片到高達95%金屬化晶片的各種工藝階段之後，容易地應用於包括外延層的各種不同樣品。

MDPmap的主要優點是靈活性高。例如，它允許集成多達四個激光器，用於從超低注入到高注入的與注入水平相關的壽命測量，或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏光設施，以及μ-PCD或穩態注入條件的選擇。可以使用不同的測量圖形進行客戶定義的計算，以及導出用於進一步評估的主要數據。對於標準測量，預定義的標準僅通過按一個按鈕即可實現常規測量。

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