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單晶和多晶的少數載流子壽命測試設備

  • 簡單描述:產品性能
    先進材料的研究和開發
    靈敏度: 對外延層監控和不可見缺陷檢測,
    具有可視化測試的高分辨率
    測試速度: < 5 minutes,6英寸矽片, 1mm分辨率
    壽命測試範圍: 20ns到幾ms
    玷汙測試: 產生於坩堝和生產設備中的金屬沾汙(Fe)
    測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
    靈活性: 允許外部激發光與測試模塊進行耦合
    可靠性: 模塊化緊湊型台式檢測設備,使用時間 > 99
  • 更新時間:2021-04-14
  • 產品型號:MDPmap
詳細介紹

MDPmap設計用於離線生產控製或研發、測量少子壽命、光電導率、電阻率和缺陷信息等參數的小型台式無觸點電特性測量儀器,在穩態或短脈衝激勵下(μ-PCD)下工作。自動的樣品識別和參數設置允許在從原始生長晶片到高達95%金屬化晶片的各種工藝階段之後,容易地應用於包括外延層的各種不同樣品。

MDPmap的主要優點是靈活性高。例如,它允許集成多達四個激光器,用於從超低注入到高注入的與注入水平相關的壽命測量,或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏光設施,以及μ-PCD或穩態注入條件的選擇。可以使用不同的測量圖形進行客戶定義的計算,以及導出用於進一步評估的主要數據。對於標準測量,預定義的標準僅通過按一個按鈕即可實現常規測量。

 


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